Le microphone - Transistor unijonction programmable PUT

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Transistor unijonction programmable PUT

 

Structure et fonctionnement

 

Le PUT présente des caractéristiques semblables à celui de l'UJT. Cependant c'est un semi conducteur à structure PNPN semblable au thyristor et donc la gâchette est reliée à la couche interne proche de l'anode.

 
 

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La gâchette est polarisée à la tension VG par le pont R1:

  • Quand VA<VG: la diode anode gâchette est bloquée et la jonction laisse passer un faible courant.
  • Quand VA>VG: Un courant circule entre A et G et le PUT se déclenche, cela a pour effet de réduire la résistance gâchette cathode à une faible valeur. Ainsi lorsque IA croit; VAK décroît jusqu'à Vv zone comprise entre le pique et la vallée est dite zone d'instabilité.
 

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Le transistor est dit programmable parce qu'on peut contrôler le rapport intrinsèque du PUT ainsi que ib et iv par les résistances externes R2 et R2

 
 

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VG est fixée par R1 et R2 et détermine VP qui est la tension de pique. Quand VC atteint VP, le PUT laisse passer un courant. C se décharge brusquement, une impulsion apparaît aux bornes de RK. Lorsque VC atteint Vv le PUT se bloque et le cycle recommence.

 
 

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On montre que la période T des impulsion est:

 


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