Les alimentations continues

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Régulation

Régulation à diode Zener et à transistor

Les montages à diode Zener étudié jusqu'à présent réduise considérablement l'ondulation de la tension et ont une borne de stabilisation amont mais la puissance qu’il fournit à la charge est faible (comprise entre 0,3W et 1,3W).

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Remarque

Le rendement de l'opération est faible car le transistor ballas T consomme plus de la moitié de la puissance fournie par la source.
La dissipation thermique à ses bornes sera donc importante d'où la nécessité d'adjoindre un radiateur.
On montre que: PT = (E0-VS)PCh/VS
Pour diminuer PT, il faut réduire l'écart entre E0 et VS, mais on ne peut pas réduire indéfiniment cet écart de peur de ne plus stabiliser la tension. Pour cela on est souvent amené à utiliser certains artifices.
Le montage Darlington

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NB: ß de T1 est très grande, petite puissance.
ß de T2 est très petite, grande puissance.

Les transistors de forte puissance ont un ß faible (ß<20). Les transistors ayant un ß élevé ne peuvent dissiper qu'une faible puissance. Une balance prévue pour une alimentation d'une certaine puissance doit avoir à la fois un ß élevé et une forte dissipation thermique. Le transistor Darlington permet de remplir ces deux conditions.

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Calcul de ß:
Ib = Ib1 ; IC = ßIB
IC = ß2Ib2 + ß1Ib1
Ib2 = Ie1 → Ib2 = (ß1+1)Ib1
IC = IB21+1)Ib1 + ß1Ib1
IC = ß21+1)Ib1 + ß1Ib1
IC = (ß2ß121)Ib
IC/Ib = ß = ß2ß1 + ß2 + ß1
ß = ß2ß2

Calcul de h11 = r:
r = Vb0/ib
Vb0 = r1ib1 + r2ib2 = r1ib1 + r2ie1 = r1ib1 + r21+1)ib1 = [r1 + r21+1)]ib
r = r1 + r21+1)

VBE = VBE1 + VBE1 = 1,4V
ß = ß1ß2
h11 = r = r1 + r21+1)

Montage Darlington complémentaire:

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