Les transistors à effet de champ (TEC OU FET)

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Approximation du TEC

Caractéristique de transfert: approximation parabolique

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Approximation de la région résistive

Dans cette région les caractéristiques ID=f(VDS) sont des droites passant par l'origine. Pour chacun d'entre elle, l'intensité est proportionnelle à la tension VDS.
Le TEC vu entre les bornes D et S se comporte comme résistance parfaite linéaire.
On montre que:
rds = 1/g = VP/2IDSS.VP/(VP+VGS).
Pour VGS=0 rds est min ; rdsmin=VP/2IDSS
5 < rdsmin < 200. Le transistor est saturé
Pour VGS = VGSoff = -VP
rds est max et rds tend vers l'infini
Le transistor est bloqué.

Approchement de la région de saturation

Dans cette région le courant ID varie très peut malgré les variations importantes de la tension VDS. La saturation du transistor commence.
Remarque: Il ne faut pas confondre les deux types de pincement. VGSoff est le pincement par VGS il permet de déterminer le blocage du transistor alors que VP est le pincement par VDS, il permet de savoir si le transistor est saturé.