Approximation du TEC

Caractéristique de transfert: approximation parabolique

Approximation de la région résistive

Dans cette région les caractéristiques I_D=f(V_DS) sont des droites passant par l'origine. Pour chacun d'entre elle, l'intensité est proportionnelle à la tension V_DS.
Le TEC vu entre les bornes D et S se comporte comme résistance parfaite linéaire.
On montre que:
r_ds = 1/g = V_P/2I_DSS.V_P/(V_P+V_GS).
Pour V_GS=0 r_ds est min ; r_dsmin=V_P/2I_DSS
5 < r_dsmin < 200. Le transistor est saturé
Pour V_GS = V_GSoff = -V_P
r_ds est max et r_ds tend vers l'infini
Le transistor est bloqué.

Approchement de la région de saturation

Dans cette région le courant I_D varie très peut malgré les variations importantes de la tension V_DS. La saturation du transistor commence.
Remarque: Il ne faut pas confondre les deux types de pincement. V_GSoff est le pincement par V_GS il permet de déterminer le blocage du transistor alors que VP est le pincement par V_DS, il permet de savoir si le transistor est saturé.