Les transistors - Fonctionnement en haute fréquence

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Fonctionnement en haute fréquence

Schéma équivalent

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C'est le schéma équivalent de GIOCOLLETTO, c'est le même que celui du transistor en base fréquence complété de trois éléments CB'E, CB'C et rBB'.
CB'E est la capacité de la jonction d'émetteur.
CB'C est la capacité de la jonction de collecteur.
rBB' est la capacité de base ou de volume entre électrode B et le point interne B' se trouvant à la limite de la jonction de l'émetteur.
A cause de la présence des capacités, les courants et les tensions deviennent complexes, le coefficient ß aussi son module |ß| diminue avec l'accroissement de la fréquence. La fréquence pour laquelle ß=1 est appelée fréquence de transition du transistor ft, elle est donnée par la cathode des transistors.
Le schéma équivalent de GIOCOLLETTO est valable pour les fréquences f<ft.

Etude du montage émetteur commun à résistance d'émetteur en haute fréquence

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Supposons que C1, C2 et CE sont des courts-circuits.

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Théorème de MILLER:

Ce théorème a été proposé pour faciliter l'analyse des amplificateurs en haute fréquence, qui postule que:
Soit deux quadripôles:

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MILLER dit que le quadripôle de la figure1 peut être remplacée par le quadripôle de la figure2 à condition que:

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Grâce à ce théorème posons:

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Le gain de l'étage diminue en haute fréquence, il peut même devenir instable car un circuit qui a 2 pôles peut osciller si le gain haute fréquence des deux pôles est supérieure à l'unité.
L'analyse des autres montages (base commune, collecteur commun) donne des résultats presque analogues à celui-ci.